ФТТ, 2010, том 52, выпуск 4: page 643...

ФТТ, 2010, том 52, выпуск 4

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Парамагнитные дефекты в нейтронно-облученных
кристаллах фенакита

В.Б.Гусева, А.Ф.Зацепин^\kern1pt*, В.А.Важенин, М.Ю.Артемов, А.И.Кухаренко^\kern1pt*

Уральский государственный университет,
Екатеринбург, Россия
^* Уральский государственный технический университет (УПИ),
Екатеринбург, Россия
E-mail: valentina.guseva@usu.ru

(Поступила в Редакцию 17 марта 2009 г.
В окончательной редакции 3 июня 2009 г.)

Проведены ЭПР-исследования радиационно-разупорядоченных кристаллов фенакита Be

₂SiO

₄ (флюенсы быстрых нейтронов

(0.75, 1.0, 1.2, 6.6, 8.5)

·10¹⁸ cm

^-2). Установлено, что основные радиационные повреждения сосредоточены преимущественно в кремнекислородной подрешетке кристалла. Обнаружены вакансионные центры (

E'

-центры,

g=2.0015

), дефекты типа смещенного кислорода и дырочные O

^--центры. Сигнал парамагнитного поглощения с параметрами

g

_x=2.0218,

g

_y=2.0124,

g

_z=2.0027 идентифицирован как разновидность O

^--центра --- комплекс [SiO

₄]

^3-. Интенсивные сигналы ЭПР с параметрами

g

_x=2.0526,

g

_y=2.0020,

g

_z=2.0066 и

g

_x=2.0290,

g

_y=2.0030,

g

_z=2.0099 приписаны двум типам центров молекулярного иона O

₂^- с различным локальным окружением. На основе сравнения данных ЭПР и оптической спектроскопии проведено обсуждение теоретических моделей радиационных центров.

Работа выполнена в рамках плана Уральского НОЦ \glqq Перспективные материалы\grqq (award N REC-005, Y4-P-05-01, CRDF) при поддержке РФФИ (грант N 08-02-01072).

PDF версия (682Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster