ФТТ, 2010, том 52, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние туннелирования на термоэлектрическую эффективность объемных наноструктурированных материалов

Л.П.Булат, Д.А.Пшенай-Северин\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный университет
низкотемпературных и пищевых технологий,
Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербург, Россия
[1.2mm] E-mail: bulat@gunipt.spb.ru, d.pshenay@mail.ru

(Поступила в Редакцию 25 мая 2009 г.
В окончательной редакции 22 июня 2009 г.)

Проводится теоретическое исследование возможности повышения термоэлектрической добротности в объемных наноструктурированных материалах. Проведен расчет и оценка кинетических коэффициентов наноструктурированного материала в предположении, что основную роль в переносе играет туннелирование электронов между наночастицами. Рассматривается предельный случай отсутствия фононной теплопроводности через барьерные слои. Оценки для материалов на основе Bi2Te3 показали, что термоэдс в наноструктурированном материале может быть достаточно высокой, а безразмерная термоэлектрическая добротность, несмотря на невысокую электропроводность, может достигать значений 3-4 при комнатной температуре.

Работа выполнена при поддержке Роснауки (контракт N 2008-03-1.3-25-02) и \glqq Фонда содействия отечественной науке\grqq.

 PDF версия (547Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster