ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Волны зарядовой плотности в частично диэлектризованных сверхпроводниках с d-спариванием

А.И.Войтенко, А.М.Габович

Институт физики НАН Украины,
Киев, Украина
E-mail: collphen@iop.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 30 марта 2009 г.)

Построена самосогласованная теория, описывающая dx2-y2-сверхпроводник с волной зарядовой плотности, возникающей из-за появления диэлектрической щели на антинодальных участках двумерной поверхности Ферми. Теория объясняет некоторые ключевые особенности высокотемпературных оксидов. В частности, показано, что большие наблюдаемые значения отношения 2Delta(T=0)/Tc связаны с более сильным подавлением критической температуры сверхпроводящего перехода Tc, чем сверхпроводящей щели Delta, при низких температурах T под действием волн зарядовой плотности. Предсказана возможность существования двух критических температур появления и исчезновения диэлектрического параметра порядка Sigma(T) в определенном диапазоне затравочных параметров модели.

Авторы благодарны Kasa im. Jozefa Mianowskiego, Polski Koncern Naftowy ORLEN и Fundacja Zygmunta Zaleskiego, а также проекту N 23 в рамках соглашения о научном сотрудничестве между Польшей и Украиной на 2009-2011 гг. за финансовую поддержку.

 PDF версия (603Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster