ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффекты уширения уровней и перегрева электронов в туннельных структурах на металлических кластерах

А.В.Бабич, В.В.Погосов

Запорожский национальный технический университет,
Запорожье, Украина
E-mail: vpogosov@zntu.edu.ua

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 4 мая 2009 г.)

Исследовано влияние уширения уровней и перегрева электронной подсистемы золотых кластеров-островков дискообразной и сферической формы на характер вольт-амперной характеристики трехэлектродной структуры. Предложена схема расчета уширения электронных уровней в одномерном случае прямоугольных барьеров. В двухтемпературной электрон-ионной модели металлического кластера с учетом размерной зависимости дебаевской частоты оценена кинетическая температура электронов в зависимости от напряжения смещения. При низких температурах ионов эффекты уширения и перегрева электронов приводят к исчезновению ступеней квантовой и кулоновской лестниц, т. е. к сильной сглаженности вольт-амперной характеристики даже в структурах на кластерах, состоящих из счетного числа атомов, что и наблюдается в экспериментах.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины.

 PDF версия (615Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster