ФТТ, 2009, том 51, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние \glqq отрицательного химического\grqq давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2

M.-H.Yu.Seyidov\kern1pt*,**, R.A.Suleymanov\kern1pt*,**, F.Salehli\kern1pt***

\kern1pt* Department of Physics, Gebze Institute of Technology,
Gebze, Kocaeli, Turkey
\kern1pt** Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Баку, Азербайджан
\kern1pt*** Instanbul Technical University, Maslak, Istanbul, Turkey
E-mail: smirhasan@gyte.edu.tr

(Поступила в Редакцию 4 февраля 2009 г.
В окончательной редакции 20 апреля 2009 г.)

Проведены экспериментальные исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости смешанных кристаллов TlInS2(1-x)Se2x в интервале температур, охватывающих точки структурных фазовых переходов (ФП) в них. Установлено, что изовалентное замещение S на Se в анионной подрешетке кристаллов TlInS2(1-x)Se2x смещает температуры ФП Ti и Tc в область низких температур с одновременным уменьшением температурного интервала существования несоизмеримой фазы. Построена фазовая T-x-диаграмма исследуемых кристаллов и определены координаты критической точки (типа точки Лифшица), в которой сливаются линии Ti(x) и Tc(x) на фазовой диаграмме. Вид фазовой T-x-диаграммы смешанных кристаллов TlInS2(1-x)Se2x анализируется в рамках феноменологической модели \glqq виртуального\grqq кристалла.

PACS: 61.44.Fw, 64.70.Rh, 77.22.-d, 77.80.-e, 77.80.Bh, 77.90.+k, 81.30.-t, 81.30.Dz, 81.40.Vw

 PDF версия (603Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster