ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11: page 2199...

ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Исследование сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария $-$ стронция методом генерации второй гармоники

Д.В.Исаков, Т.Р.Волк^*, Л.И.Ивлева^**

Univercidado do Minho,
Braga, Portugal
^* Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
Москва, Россия
^** Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: volk@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 2 марта 2009 г.)

Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Sr

_xBa

_1-xNb

₂O

₆ (SBN-

x

) исследованы методом генерации неколлинеарной (диффузной) второй гармоники (ВГ) ИК-излучения, преобразованного на неупорядоченной доменной структуре. На примере состава SBN-0.75 из зависимостей интенсивности ВГ

I

_2omega(t) и

I

_2omega(E) получены характеристики переключения, которые находятся в хорошем согласии с результатами измерений традиционными методами и обнаруживают ряд особенностей (длительные времена релаксации поляризации, невоспроизводимость формы петель гистерезиса, низкочастотную зависимость

E

_c), связанных с релаксорной природой твердых растворов SBN. Кинетика диффузной ВГ может быть описана в рамках феноменологического подхода к процессам релаксации поляризации в сегнетоэлектриках-релаксорах. Интенсивность диффузной ВГ при переключении определяется параметрами (длительностью и амплитудой) импульса переключающего поля.

Работа выполнена при финансовой поддержке проектов РФФИ N 06-02-16644а, 09-02-00969а.

PACS: 77.80.Fm, 77.80.+Dj, 77.22.Ej, 42.65.Ky

PDF версия (692Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster