ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование и оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов CdSSe в матрице
силикатного стекла

В.В.Ушаков, А.С.Аронин\kern1pt*, В.А.Караванский\kern1pt**, А.А.Гиппиус

Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
Москва, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
Черноголовка, Московская обл., Россия
** Центр естественно-научных исследований Института общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: ushakov@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 15 января 2009 г.)

Определены технологические режимы, обеспечивающие формирование в матрице силикатного стекла полупроводниковых кристаллитов CdSxSe1-x размером 2-8 nm. По мере увеличения температуры формирующего отжига их размер увеличивается без изменения кристаллической структуры и состава. Коротковолновый сдвиг края оптического поглощения свидетельствовал о влиянии размерного квантования на энергетическую структуру нанокристаллов. Интенсивная люминесценция образцов представляет излучательные переходы с участием дефектов на интерфейсе полупроводниковый нанокристалл-силикатная матрица либо внутренних дефектов нанокристаллов.

Работа выполнена по проекту РФФИ 06-02-16987-а.

PACS: 68.37.Lp, 78.55.Kz, 78.67.Bf, 81.07.Bc

 PDF версия (641Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster