ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда на высокочастотную проводимость тонкой цилиндрической полупроводниковой проволоки

И.А.Кузнецова, Р.Р.Хадчукаев, А.А.Юшканов

Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова,
Ярославль, Россия
E-mail: kuz@uniyar.ac.ru

(Поступила в Редакцию 30 июля 2008 г.)

Кинетическим методом решена задача о высокочастотной проводимости тонкой цилиндрической полупроводниковой проволоки. Рассмотрен диффузно-зеркальный механизм отражения носителей заряда от внутренней поверхности проволоки. Расчеты проведены для невырожденного полупроводника n-типа (p-типа) проводимости со стандартной сферически-симметричной энергетической зоной. Соотношение между радиусом поперечного сечения проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным.

Работа выполнена в рамках мероприятия 5.2 Федеральной целевой программы \glqq Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 гг.\grqq по теме \glqq Развитие центра колллективного пользования научным оборудованием для обеспечения комплексных исследований в области диагностики микро- и наноструктур электроники, наноматериалов, биоорганических нанообъектов и технологий их получения\grqq.

PACS: 72.20.-i, 72.10.-d, 73.63.-b

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster