ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10: page 1917...

ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Исследование вольт-амперных характеристик структуры $n$ -CdS-- $p$ -CdTe с протяженным слоем промежуточного
твердого раствора

Ш.А.Мирсагатов, А.Ю.Лейдерман, Б.У.Айтбаев, М.А.Махмудов

Физико-технический институт Научно-производственного объединения \glqq Физика-Солнце\grqq Академии наук Узбекистана,
Ташкент, Узбекистан
E-mail: mirsagatov@ramler.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 20 февраля 2009 г.)

Приведены результаты исследований гетероструктур

n

-CdS

-p

-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение

w/L~10

(

w

--- длина базы,

L

--- диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа

J~ AV

^alpha, где показатель степени

alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.

Работа выполнена по грантам ФА-ФО32 и ФА-ФО27-ФО28 Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана.

PACS: 73.61.Ga, 73.40.Rw, 72.10.-d

PDF версия (169Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster