ФТТ, 2009, том 51, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние степени совершенства кристаллов и отклонения от стехиометрического состава на процессы диффузии
в сульфиде самария

В.В.Каминский, А.В.Голубков, В.А.Дидик, М.В.Романова, Е.А.Скорятина,
В.П.Усачева, Б.Н.Шалаев, Н.В.Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Didik@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 10 февраля 2009 г.)

Исследованы процессы диффузии самария и европия в нестехиометрическом SmS в температурном интервале 950-1600oC как методом радиоактивных изотопов, так и методом потери веса образцов при испарении избыточного самария. Обнаружена связь между величинами коэффициентов диффузии D и размером областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения (ОКР) в образцах SmS, а также степенью отклонения состава от стехиометрии: коэффициент диффузии примесей уменьшается при увеличении ОКР и по мере приближения состава к стехиометрическому. Расчет коэффициента диффузии электронов в SmS при T=77-300 K показал, что значение D увеличивается с ростом температуры и областей когерентного рассеяния.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-08-00289), а также ООО \glqq Эс эм Эс-тензо\grqq (Санкт-Петербург).

PACS: 66.30.-h, 68.35.Fx

 PDF версия (158Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster