ФТТ, 2009, том 51, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры a-ориентированных эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на r-грани сапфира

Р.Н.Кютт, М.П.Щеглов, В.В.Ратников, А.Е.Николаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: r.kyutt@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 29 сентября 2008 г.
В окончательной редакции 23 октября 2008 г.)

Проведено рентгенодифракционное исследование структурного состояния эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом MOVPE на r-грани сапфира. На двух- и трехкристальном дифрактометре измерялись межплоскостные расстояния в двух направлениях в плоскости интерфейса (11-20) и перпендикулярно ей, дифракционные пики theta- и theta-2theta-мод сканирования в геометрии Брэгга и Лауэ, а также строились карты распределения интенсивности для асимметричных брэгговских рефлексов в двух азимутальных положениях образца. Полученные данные демонстрируют анизотропию упругой деформации и уширения дифракционной картины параллельно плоскости интерфейса. Слои сжаты в направлении [1-100] и не деформированы в направлении [0001]. Уширение брэгговских рефлексов значительно больше в направлении [1-100] по сравнению с [0001]. На основе построения Вильямсона--Холла для брэгговских и лауэвских отражений показано, что эти уширения не связаны с различной степенью мозаичности, а обусловлены локальными дилатациями и разориентациями вокруг дефектов. На основе анализа полученных данных делаются выводы о дислокационной структуре образцов.

Работа выполнена при поддержке РФФИ N 06-02-17307.

PACS: 61.05.cp, 61.72.Lk, 61.72.uj, 68.55.ag

 PDF версия (241Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster