ФТТ, 2009, том 51, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN

С.О.Усов, А.Ф.Цацульников, Е.Е.Заварин, Р.Н.Кютт, Н.Н.Леденцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
[1.2mm] E-mail: S.Usov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 14 октября 2008 г.
В окончательной редакции 28 ноября 2008 г.)

Методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции высокого разрешения (HRXRD) проведено исследование многослойных структур на основе соединений InxGa1-xN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Разработан способ анализа экспериментальных кривых качания многослойных структур в рамках модели Парратта-Спериози, который позволил определить толщины, период и средний состав слоев InxGa1-xN, а также деформацию активной области в исследуемых образцах. Локальное содержание индия было определено с использованием теоретической модели, которая описывает энергию излучения как функцию толщин слоев InGaN с учетом энергии квантового ограничения, энергий спонтанной и пьезополяризации и параметров, определенных из HRXRD.

Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 07-02-01246-а) и программой президиума РАН \glqq Квантово-размерные наноструктуры\grqq.

PACS: 78.55.-m, 78.67.Hc, 78.55.Cr, 78.67.De, 81.07.St, 61.05.cp, 64.75.Nx

 PDF версия (217Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster