ФТТ, 2009, том 51, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные и упругие свойства сверхпроводящего наноламината Ti2InC

И.Р.Шеин, А.Л.Ивановский

Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук,
Екатеринбург, Россия
E-mail: ivanovskii@ihim.uran.ru

(Поступила в Редакцию 10 ноября 2008 г.)

Ab initio полнопотенциальный метод FLAPW с обобщенной градиентной аппроксимацией локальной спиновой плотности использован для анализа электронных свойств и параметров упругости сверхпроводящего наноламината Ti2InC. В рамках единой схемы определены равновесные параметры кристаллической решетки, зонная структура, полная и парциальные плотности состояний, поверхность Ферми. Рассчитаны независимые коэффициенты упругости, модули объемного сжатия и сдвига, а также впервые проведены численные оценки параметров упругости для поликристаллического Ti2InC.

Работа поддержана РФФИ (проект N 07-03-96061).

PACS: 71.20.-b, 62.20.D-, 81.05.Je

 PDF версия (342Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster