ФТТ, 2009, том 51, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неоднородные состояния в тонких пленках несобственного несоразмерного сегнетоэлектрика с инвариантом Лифшица

С.А.Ктиторов\kern1pt*,**, Ф.А.Погорелов\kern1pt***, Е.В.Чарная\kern1pt***

* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
** Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
Санкт-Петербург, Россия
*** Санкт-Петербургский государственный университет,
Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
E-mail: ktitorov@mail.ioffe.ru

Неоднородные структуры в модели с инвариантом Лифшица изучены без использования приближения постоянной амплитуды, т. е. фазовая и амплитудная функции рассмотрены как равноправные переменные. Показано, что получающаяся при таком подходе картина распределения амплитуды и фазы параметра порядка значительно богаче и интересней, чем в приближении постоянной амплитуды. Рассмотрено влияние осцилляций амплитудной функции на распределение фазы параметра порядка в модели, описывающей периодические структуры в сегнетоэлектриках. Показано, что учет колебаний амплитуды крайне важен для нахождения распределения параметра порядка в тонкой пленке. Наряду с численным моделированием проведено аналитическое исследование в пределе малой анизотропии. Исследованы регулярные и хаотические режимы.

PACS: 61.44.Fw, 77.80.-e

 PDF версия (138Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster