ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3<Bi>x

Р.А.Кастро, Н.И.Анисимова, В.А.Бордовский, Г.И.Грабко

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: recastro@fromru.com

(Поступила в Редакцию 19 июня 2008 г.)

Приведен расчет диэлектрических параметров (диэлектрической проницаемости varepsilon и тангенса угла диэлектрических потерь tgsigma) для слоев As2Se3<Bi>x на основе релаксационных кривых поляризационного тока, измеренных при различных значениях напряженности приложенного электрического поля. Обнаружено значительное влияние примеси висмута на характер частотной зависимости varepsilon и tgdelta, что, вероятно, связано с существованием микронеоднородных областей с повышенной концентрацией примеси.

PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster