ФТТ, 2009, том 51, выпуск 5
ФТТ, 2009, том 51, выпуск 5
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Ab initio расчеты геометрии и электронной структуры точечных дефектов в сегнетоэлектриках со структурой перовскита
О.Е.Квятковский
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: kvyatkovskii@mail.ioffe.ru
|
Выполнены ab initio расчеты оптимизированной геометрии и электронной структуры дефектов решетки в виртуальных (incipient) сегнетоэлектриках-перовскитах SrTiO и KTaO в рамках теории функционала плотности. Представлены результаты для примесного иона Li в -узле в KTaO и в SrTiO, для ионов Mn, Cd, Ca, Mg, Zn в -узле и ионов Mn, Mg в -узле в SrTiO, а также для комплексов Mn, Mg в SrTiO. Результаты получены кластерным методом с учетом структурной релаксации, порожденной дефектом, а для неизовалентных примесей замещения также с учетом зарядового и спинового состояний дефекта. Найдено, что Ca, Cd, Mn и Mg имеют устойчивое центральное положение, в то время как Li в KTaO и Li, Mn и Zn в SrTiO являются нецентральными ионами. Определены форма многоминимумного адиабатического потенциала и параметры диэлектрических релаксаторов для полярных дефектов (активационный барьер и дипольный момент). Найдены электронные примесные уровни для нейтральных дефектов Li и Mg. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 06-02-17305). PACS: 77.84.Dy, 61.72.S-, 61.72.Bb, 71.55.-i |
| PDF версия (248Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |