ФТТ, 2009, том 51, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические 4f-4f-переходы в мультиферроике HoMnO3

Н.Н.Лошкарева, А.С.Москвин\kern1pt*, А.М.Балбашов\kern1pt**

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
Екатеринбург, Россия
* Уральский государственный университет им. А.М. Горького,
Екатеринбург, Россия
** Московский энергетический институт,
Москва, Россия
E-mail: loshkareva@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 9 июля 2008 г.)

В спектрах поглощения монокристалла гексагонального манганита HoMnO3 в парамагнитном сегнетоэлектрическом состоянии обнаружены линии вблизи 1.1 и 2.0 mum, связаные соответственно с переходами 5I8->5I6 и 5I8->5I7 в пределах электронной конфигурации 4f10 иона Ho3+. При T=80 K переходу 5I8->5I7 в HoMnO3 соответствует одна полоса при 1.9 mum для обеих поляризаций: E|| c и  E normal c. С ростом температуры от 80 до 293 K наблюдается \glqq возгорание\grqq низкоэнергетической полосы с пиком при 2.04 mum для E normal c и 2.07 mum для E|| c, связанной с переходами с возбужденого штарковского уровня основного мультиплета 5I8 на штарковские уровни мультиплета 5I7 и ростом заселенности начального штарковского уровня, энергия которого составляет ~100 K.

Работа выполнена по плану РАН, при поддержке РФФИ (грант N 08-02-00633) и программы ОФН РАН и президиума УрО РАН \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

PACS: 75.47.Lx, 78.20.-e

 PDF версия (148Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster