ФТТ, 2009, том 51, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффективные массы и g-факторы электронов в возбужденных состояниях в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке

В.Д.Дымников, О.В.Константинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Dymnik@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 8 июля 2008 г.)

Впервые в научной литературе получены численные оценки эффективных масс и g-факторов в возбужденных зонах проводимости в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке. Вычисления проведены с помощью нового, развитого авторами в предыдущих работах подхода, основанного на правилах сумм.

PACS: 71.20.Nr, 71.18.+y

 PDF версия (138Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster