ФТТ, 2009, том 51, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния

Д.В.Савченко, Б.Д.Шанина, С.Н.Лукин, Е.Н.Калабухова

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
Киев, Украина
E-mail: katia@i.kiev.ua

(Поступила в Редакцию 8 июля 2008 г.)

Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования кинетики поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем материале 4H-SiC методом электронного парамагнитного резонанса в присутствии фотовозбуждения и оптической спектроскопии полной проводимости. Решены кинетические уравнения, описывающие процессы рекомбинации, захвата и ионизации неравновесных носителей, динамически связанных с мелкими донорами и акцепторами (азота и бора), а также процессы передачи носителей зарядов с мелкого донора азота на глубокие уровни собственных дефектов. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными кривыми временных спадов полной проводимости и интенсивностей сигналов электронного парамагнитного резонанса от азота и бора после прекращения фотовозбуждения показало, что вероятности захвата дырок на ионизированный акцептор и скорость ионизации нейтрального акцептора бора на два порядка больше, чем аналогичные процессы в системе донорных уровней. Для последней решающую роль играют каскадные переходы электронов с уровня на уровень в запрещенной зоне, а также электронно-дырочная рекомбинация.

PACS: 72.20.Jv, 76.30.-v

 PDF версия (464Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster