ФТТ, 2009, том 51, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межзонное оптическое возбуждение волн пространственного заряда в высокоомных полупроводниках

В.В.Брыксин, М.П.Петров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: mpetr.shuv@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 9 июня 2008 г.)

Разработана достаточно полная теория волн перезарядки ловушек в условиях, когда волны перезарядки ловушек возбуждаются оптическим способом, и доминирующими являются межзонные переходы. Показано, что наличие межзонных переходов уменьшает роль имеющихся в кристалле ловушечных центров, а также длительность времени жизни носителей. Это вызывает уменьшение времени жизни волн перезарядки ловушек и может привести к фактическому их полному исчезновению как собственных мод электронных колебаний полупроводникового кристалла. Показано, что в зависимости от интенсивности освещения и от соотношения параметров рекомбинации возможна реализация большого числа специфических случаев. Обсуждаются физический смысл эффективной концентрации ловушек и ее связь с длинами экранировки внутреннего электрического поля.

Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН П-03 и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-16170).

PACS: 73.23.-b, 72.25.-b, 72.20.-i

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster