ФТТ, 2009, том 51, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структура и ультрафиолетовая фотолюминесценция пленок 3C-SiC, выращенных на Si(111)

Л.К.Орлов, Ю.Н.Дроздов, Н.А.Алябина\kern1pt*, Н.Л.Ивина, В.И.Вдовин\kern1pt**, И.Н.Дмитрук\kern1pt***

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
Нижний Новгород, Россия
* Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
Нижний Новгород, Россия
** Институт химических проблем микроэлектроники,
Москва, Россия
*** Институт физики Национальной академии наук Украины,
Киев, Украина
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 21 мая 2008 г.)

Обсуждаются структура и светоизлучающие свойства нанокристалличеких пленок кубического карбида кремния, полученных методом химической конверсии из паров гексана. Проведен детальный анализ морфологии, состава и кристаллографической структуры выращенных толстых пленок карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, электронографии, интерференционной оптической, сканирующей зондовой и просвечивающей электронной микроскопии. Использование для возбуждения третьей гармоники фемтосекундного лазера (lambdaexit=266 nm) наряду с традиционно наблюдаемыми линиями в спектре высокотемпературной фотолюминесценции позволило впервые выявить линию излучения, лежащую в области глубокого ультрафиолета, с длиной волны (lambda=340 nm). Обсуждается природа линий, наблюдаемых в спектре фотолюминесценции.

Работа выполнена по проектам РФФИ N 08-02-97017-р и 08-02-00065-а.

PACS: 78.66.-w, 68.55.Jk, 68.55.-a, 61.10.-i

 PDF версия (2.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster