ФТТ, 2009, том 51, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотодиэлектрический эффект в TlInS2, активированном примесью La

М.-Н.Yu.Seyidov\kern1pt*,**, R.A.Suleymanov\kern1pt*,**, С.С.Бабаев\kern1pt**,
Т.Г.Мамедов\kern1pt**, А.И.Наджафов\kern1pt**, Г.М.Шарифов\kern1pt**

* Department of Physics, Gebze Institute on Technology,
Gebze, Kocaeli, Turkey
** Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Баку, Азербайджан
E-mail: smirhasan@gyte.edu.tr

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 17 июня 2008 г.)

Впервые получены данные о влиянии света на низкочастотные диэлектрические свойства слоистого кристалла TlInS2, легированного примесью La. Установлено, что подсветка кристалла в процессе измерений существенно изменяет вид температурной зависимости диэлектрической постоянной (varepsilon) TlInS2 с примесью La в области существования несоизмеримой фазы. В работе впервые исследованы температурные зависимости varepsilon TlInS2 с примесью La при предварительном охлаждении кристалла в присутствии различного по величине напряженности постоянного электрического поля. Сделано заключение о том, что наблюдаемый на опыте фотодиэлектрический эффект обусловлен процессами локализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне кристалла с образованием локальных поляризованных состояний.

PACS: 61.44.Fw, 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.80.Sk, 77.22.-d, 77.22.Ch, 77.22.Ej, 77.80.Bh

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster