ФТТ, 2008, том 50, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Перенос заряда по локализованным состояниям
в монокристалле TlS

С.Н.Мустафаева, М.М.Асадов *, А.А.Исмаилов

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
1143 Баку, Азербайджан
* Институт химических проблем Национальной академии наук Азербайджана,
1143 Баку, Азербайджан
E-mail: solmust@gmail.com

(Поступила в Редакцию 29 января 2008 г.
В окончательной редакции 11 марта 2008 г.)

Обнаружено, что при температурах T=<q230 K в монокристаллах TlS поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. В области низких температур и сильных электрических полей в монокристаллах TlS установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости.

Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=2.8·1020 eV-1·cm-3) и их энергетический разброс (Delta W=0.02 eV), радиус локализации (a=33 Angstrem), среднее расстояние прыжков в области активационной (Rav(T)=40 Angstrem) и безактивационной (Rav(F)=78 Angstrem) прыжковой проводимости, а также перепад потенциальной энергии носителей заряда на длине прыжка в электрическом поле F: eFR=0.006 eV при 7.5·103 V/cm и 0.009 eV при F=1.25·104 V/cm.

PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster