ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние легирования Sc и Yb на электрические и люминесцентные свойства кремния, полученного методом Стокбаргера

Т.С.Шамирзаев, А.И.Непомнящих\kern1pt*, Б.А.Красин\kern1pt*\kern-1pt, О.И.Семенова, А.С.Токарев,
П.А.Бородовский, А.Ф.Булдыгин, П.П.Сарычев\kern1pt*

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук,
664033 Иркутск, Россия
E-mail: timur@thermo.isp.nsc.ru

Исследовалось влияние легирования скандием и иттербием на электрофизические и люминесцентные свойства мультикристаллического кремния, выращенного методом Стокбаргера. Обнаружено, что удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и положение максимума полосы низкотемпературной люминесценции, имеющие одинаковые значения вдоль направления роста нелегированного слитка, демонстрируют монотонное изменение значений вдоль направления роста легированных слитков. Анализ спектров фотолюминесценции и типа проводимости в различных точках легированных слитков позволил сделать вывод о том, что изменения их электрофизических свойств вдоль направления роста обусловлены перераспределением фоновых акцепторов, концентрация которых монотонно уменьшается от начала к концу слитка. Перераспределение фоновых примесей объясняется образованием соединений фоновая примесь-легирующая примесь, обладающих коэффициентами распределения в расплаве кремния, сильно отличающимися от единицы. Работа выполнена при поддержке СО РАН (Интеграционный проект N 8) и РФФИ (проект N 05-05-64752).

PACS: 61.72.-y, 61.72.Ss, 71.20.Mq

 PDF версия (383Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster