ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9
ФТТ, 2008, том 50, выпуск 9
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Энергетическое положение редкоземельных ионов в BaF и CdF
П.А.Родный, И.В.Ходюк, Г.Б.Стрыганюк
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
Львовский национальный университет им. И. Франко,
79005 Львов, Украина
E-mail: Khodyuk@tuexph.stu.neva.ru
|
Определено энергетическое положение уровней редкоземельных (RE) элементов в зонной схеме кристаллов BaF и CdF. Оценена роль RE- и RE-ионов в захвате носителей, люминесценции и образовании радиационных дефектов. Показано, что существенное различие люминесцентных свойств BaF : RE и CdF : RE обусловлено положением возбужденных энергетических уровней в зонной схеме кристаллов. PACS: 61.72.Ww, 76.30.Kg, 73.20.Hb |
| PDF версия (236Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |