ФТТ, 2008, том 50, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термоэдс биоморфного карбида кремния

И.А.Смирнов, Б.И.Смирнов, Е.Н.Мохов, Cz.Sulkowski\kern1pt*, H.Misiorek\kern1pt*, A.Jezowski\kern1pt*,
A.R.de Arellano-Lopez\kern1pt**, J.Martinez-Fernandez\kern1pt**

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Trzebiatowski Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences,
50-950 Wroclaw, Poland
** Universidad de Sevilla,
41080 Sevilla, Spain
E-mail: igor.smirnov@mail.ioffe.ru,
smir.bi@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 19 декабря 2007 г.)

В интервале температур 5-280 K измерены коэффициенты термоэдс кубического био-SiC --- высокопористого полупроводника с канальным типом пор, полученного на основе биоуглеродной матрицы дерева белого эвкалипта, и в качестве реперного материала --- у монокристалла beta-SiC. В исследованных образцах в области низких температур обнаружен вклад в термоэдс, связанный с эффектом увлечения электронов фононами. Для образцов био-Sic измерена термоэдс вдоль и поперек имеющихся в образце пустых каналов и обнаружена ее анизотропия. Предлагается две модели для объяснения анизотропии термоэдс в кубическом био-SiC.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-03-91353ННФ\_a), программы Президиума РАН (П-03\_02) и Министерства науки и технологии Испании (проект МАТ 2003-05202-С02-01).

PACS: 65.60.+a, 65.90.+i

 PDF версия (163Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster