ФТТ, 2008, том 50, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Критическое магнитное поле Hc2 и рассеяние электронов в MgB2

Н.П.Шабанова, С.И.Красносвободцев, А.В.Варлашкин, В.С.Ноздрин, А.И.Головашкин

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
E-mail: shaban@sci.lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 4 июля 2007 г.)

Исследована корреляция верхнего критического магнитного поля Hc2 и остаточного удельного сопротивления rho соединения MgB2 в широком диапазоне величин rho. С ростом остаточного сопротивления вплоть до 100 muOmega·cm наблюдалось устойчивое повышение наклона -dHc2/dT температурной зависимости Hc2 вблизи Tc. В диапазоне от 0 до 50 muOmega·cm зависимость -dHc2/dT от rho хорошо аппроксимировалась линейной функцией, как для однозонного сверхпроводника. При аппроксимации использовались электронные параметры двух зон --- pi и sigma, образующих поверхность Ферми. Величина Hc2 считалась зависящей только от электронных параметров sigma-зоны. В данном приближении оценены вклад sigma-электронов в суммарную проводимость вдоль плоскостей бора, составивший примерно 1/2, отношение длин пробега электронов sigma-зоны и pi-зоны lsigma/lpi~1.5, а также соотношение ряда других параметров, характеризующих рассеяние.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-17660).

PACS: 74.25.Fy, 74.25.Op

 PDF версия (139Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster