ФТТ, 2008, том 50, выпуск 7: page 1257...

ФТТ, 2008, том 50, выпуск 7

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние Co на структурную и магнитную неоднородности, фазовые переходы и магниторезистивные свойства La_0.6Sr_0.2Mn_1.2-xCo_xO_3±delta

А.В.Пащенко^\kern1pt*,**, В.П.Пащенко^\kern1pt*, А.А.Шемяков^\kern1pt*, Н.Г.Кисель^\kern1pt*, В.К.Прокопенко^\kern1pt*,
Ю.Ф.Ревенко^\kern1pt*, А.Г.Сильчева^\kern1pt**, В.П.Дьяконов^{\kern1pt*,***}, Г.Шимчак^\kern1pt***

^* Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина Национальной академии наук Украины,
83114 Донецк, Украина
^** Луганский национальный педагогический университет им. Тараса Шевченко,
91011 Луганск, Украина
^*** Институт физики Польской академии наук,
02-669 Варшава, Польша
E-mail: alpash@mail.ru

(Поступила в Редакцию 12 декабря 2007 г.)

Рентгеновским, резистивным, магнитным (

chi_ac,

M

, ЯМР

⁵⁵Mn) методами исследовали структуру и свойства магниторезистивной керамики La

_0.6Sr

_0.2Mn

_1.2-xCo

_xO

_3±delta (

x=0-0.3

), спеченной при

1200

^oC. Образцы содеражли ромбоэдрическую

R 3c

перовскитовую (90%) и тетрагональную

I4

₁/amd гаусманитовую (10%) фазы, параметры решетки которых уменьшались при повышении

x

. Реальная перовскитовая структура содержала точечные (анионные и катионные вакансии) и наноструктурные дефекты кластеризованного типа.

Анализ асимметрично уширенных спектров ЯМР ⁵⁵Mn подтвердил высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn³⁺-Mn⁴⁺ и локальную неоднородность их окружения другими ионами и дефектами как точечного, так и кластерного типа.

Повышение содержания Co приводит к увеличению удельного сопротивления и магниторезистивного (MR) эффекта, уменьшению магнитной восприимчивости и температур фазовых переходов металл--полупроводник: $T$ _ms и ферромагнетик--парамагнетик $T$ _c вследствие нарушения обменных взаимодействий между Mn³⁺-Mn⁴⁺-ионами кобальта, вакансиями и кластерами. Введение Co уменьшает ферромагнитную составляющую и энергию активации. MR-эффект вблизи $T$ _ms и $T$ _c обусловлен рассеянием носителей заряда на внутрикристаллитных неоднородностях решетки, а низкотемпературный --- туннелированием на межкристаллических границах.

PACS: 75.47.Lx, 75.47.Gk, 71.30.+h

PDF версия (400Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster