ФТТ, 2008, том 50, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Адсорбция на аморфных полупроводниках: модифицированная модель Халдейна--Андерсона

С.Ю.Давыдов, С.В.Трошин\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию в окончательном виде 4 декабря 2007 г.)

Модель Халдейна--Андерсона, использованная ранее для описания адсорбции на кристаллической подложке, обобщена на случай аморфного субстрата. Показано, что основное отличие чисел заполнения адатома имеет место в том случае, когда атомный уровень перекрывается с запрещенной зоной (кристаллический полупроводник) и щелью подвижности (аморфный полупроводник). Оказалось, что заряд адатома в случае аморфной подложки меньше, чем в случае кристаллической подложки.

Работа выполнена при поддержке целевой программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы Российской Фередации\grqq (проект РНП 2.1.2.1716К).

PACS: 68.43.-h, 68.43.Bc, 68.47.Fg

 PDF версия (125Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster