ФТТ, 2008, том 50, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Аномалии электрофизических, тепловых и упругих свойств слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2: неустойчивость в электронной подсистеме

M.-H.Yu.Seyidov\kern1pt*,**, R.A.Suleymanov\kern1pt*,**

* Department of Physics, Gebze Institute of Technology,
41400 Kocaeli, Turkey
** Institute of Physics Azerbaijan National Academy of Sciences,
AZ-1143 Baku, Azerbaijan
E-mail: smirhasan@gyte.edu.tr

(Поступила в Редакцию 6 августа 2007 г.
В окончательной редакции 11 декабря 2007 г.)

Представлены результаты исследований температурных зависимостей диэлектрической проницаемости, темнового тока, вольт-амперных характеристик слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2, полученные в интервале 77-300 K. На кривой varepsilon(T), измеренной в направлении перпендикулярном слоям в области низких частот, впервые обнаружена ярко выраженная аномалия в виде \glqq ямы\grqq, с заметными температурными границами ~150 и ~200 K. Также впервые экспериментально зафиксировано развитие электрических неустойчивостей, проявляющихся в виде низкочастотных квазипериодических колебаний тока на вольт-амперных характеристиках образца в том же температурном интервале. Показано, что для наблюдения неустойчивостей важно, чтобы электрическое поле к образцу подавалось посредством бесконтактных потенциалозадающих электродов, выполненных в виде тонких прокладок из слюды. Обсуждается природа нестабильности и ее влияние на различные физические свойства слоистого кристалла TlGaSe2.

PACS: 71.20.Nr, 72.10.Fk, 72.20.-i, 73.40.Cg, 77.80.Bh

 PDF версия (596Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster