ФТТ, 2008, том 50, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения на электрические параметры полупроводникового SmS

Н.В.Шаренкова, В.В.Каминский, М.В.Романова, Л.Н.Васильев, Г.А.Каменская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 15 ноября 2007 г.)

Рассмотрена связь электрических свойств полупроводникового сульфида самария (SmS) с размером областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения. Получена экспериментальная зависимость концентрации носителей заряда от величины ОКР в моно- и поликристаллических образцах SmS, а также в тонких пленках сульфида самария. Удовлетворительное соответствие расчетных кривых и экспериментальных результатов свидетельствует о том, что размер ОКР оказывает решающее влияние на величины концентраций носителей заряда и дефектных ионов самария в SmS. Изучено влияние термоударов на величину ОКР в моно- и поликристаллах SmS, а также в поликристаллических образцах состава Sm0.4Eu0.6S.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 07-08-00289) и ООО \glqq Эс эм Эс-тензо\grqq (Санкт-Петербург).

PACS: 61.05.Cf, 72.80.Ga

 PDF версия (136Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster