ФТТ, 2008, том 50, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами

В.К.Ярмаркин, С.Г.Шульман, Г.А.Панкова\kern1pt*, Н.В.Зайцева, В.В.Леманов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук,
199034 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: lemanov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 25 сентября 2007 г.)

Исследованы процессы переключения поляризации и температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов триглицинсульфата, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами, в диапазоне частот 100 Hz-1 MHz и температур 140-340 K. Установлено, что при относительно небольшой растворимости примесей (не более 1 mol.%) легирование кристаллов сопровождается существенным изменением параметров петли диэлектрического гистерезиса, а также величины и характера температурной зависимости диэлектрических потерь, свидетельствующих об увеличении в сегнетоэлектрической фазе легированных кристаллов энергий активации и времен релаксации доменных стенок в результате их взаимодействия с примесями.

Работа выполнялась при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-16012), Программы поддержки ведущих научных школ (грант НШ-5169.2006.2) и Программы ОФН РАН.

PACS: 77.22.Gm, 77.84.Fa

 PDF версия (197Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster