ФТТ, 2008, том 50, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фазовое расслоение с зарядовой самоорганизацией
в манганитах-мультиферроиках Tb0.95Bi0.05MnO3,
Gd0.75Ce0.25Mn2O5 и Eu0.8Ce0.2Mn2O5

В.А.Санина, Е.И.Головенчиц, В.Г.Залесский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: sanina@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 27 сентября 2007 г.)

Выращены и исследованы новые легированные манганиты-мультиферроики Tb0.95Bi0.05MnO3, Gd0.75Ce0.25Mn2O5 и Eu0.8Ce0.2Mn2O5, являющиеся полупроводниками. Исходные диэлектрические мультиферроики TbMnO3 и RMn2O5 (R= Cd и Eu) имеют близкие температуры магнитного и сегнетоэлектрического упорядочений 30-40 K. Исследованные кристаллы являются мультиферроиками, в которых при комнатной температуре сосуществуют состояния с гигантской диэлектрической проницаемостью и ферромагнетизмом. Анализ диэлектрических свойств приводит к заключению о возникновении в изученных кристаллах при температурах T>=q 180 K фазового расслоения с динамическим периодическим распределением квази-2D-слоев из ионов марганца разной валентности, что обусловливает зарядовое сегнетоэлектричество. При низких температурах (T<100 K) имеется малый фазовый объем в кристаллах, занятый as grown квази-2D-слоями с легирующими примесями и носителями заряда. Основной объем кристалла занят диэлектрической фазой без носителей заряда. При термической активации режима прыжковой проводимости в результате самоорганизации носителей заряда в матрице кристалла с сегнетоэлектрическими фрустрациями при T~ 180 K происходит фазовый переход в состояние зарядового сегнетоэлектричества.

Работа поддержана грантами РФФИ N 05-02-16328 и 08-02-00077, а также Программой 03 Президиума РАН.

PACS: 75.47.Lx, 76.50.+g, 77.80.-e

 PDF версия (366Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster