ФТТ, 2008, том 50, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Колоссальное магнитосопротивление неоднородного ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4

Н.И.Солин, В.В.Устинов, С.В.Наумов

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
E-mail: solin@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 22 мая 2007 г.
В окончательной редакции 18 сентября 2007 г.)

Исследован новый способ достижения высоких значений магнитосопротивления в неоднородных магнитных материалах, основанный на возникновении обедненного слоя, контактной разности потенциалов на границе раздела двух полупроводников с разными уровнями Ферми, на изменении контактной разности потенциалов и толщины интерфейсного слоя под действием магнитного поля. Предлагаемая модель магниторезистивной структуры реализована на основе магнитного полупроводника HgCr2Se4. На поверхности объемных монокристаллов p-HgCr2Se4 диффузионным методом созданы n-слои HgCr2Se4 толщиной до нескольких десятков микрон. При наложении магнитного поля в структурах обнаружено сильное (более чем в 200 раз) возрастание тока, протекающего через n-слой.

Работа поддержана программами Президиума РАН \glqq Квантовая макрофизика\grqq, ОФН РАН \glqq Новые материалы и структуры\grqq и выполнена в рамках Программы научного сотрудничества УрО РАН и ДВО РАН.

PACS: 75.50.Pp, 75.47.-m, 72.25.Mk, 72.25.Dc

 PDF версия (399Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster