ФТТ, 2008, том 50, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Концентрационная модель фазовых переходов полупроводник-металл в SmS

В.В.Каминский, Л.Н.Васильев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 4 сентября 2007 г.)

Проведены модельные расчеты, объясняющие механизм фазового перехода полупроводник-металл в SmS. Использовалась несколько модифицированная модель, основанная на методах, применявшихся ранее для объяснения концентрационного механизма пьезосопротивления и термовольтаического эффекта в SmS. Полученные устойчивые расчетные результаты для величины давления фазового перехода при всестороннем сжатии (Pc~700 MPa при T=300 K) позволяют сделать вывод о том, что определяющим величину Pc фактором является наличие 4f-уровней ионов самария и их возбужденных состояний. Предложенная модель носит универсальный характер и применима также для расчета параметров других эффектов в SmS, связанных с моттовскими переходами и сопровождающихся коллективной делокализацией носителей заряда.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 07-08-00289) и ООО \glqq Эс эм эс-тензо\grqq (Санкт-Петербург).

PACS: 71.35.Lk, 70.30.+h

 PDF версия (161Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster