ФТТ, 2008, том 50, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Энергетическая структура и рентгеновские спектры фенакита Be2SiO4

И.Р.Шеин, R.Wilks *, A.Moewes *, Э.З.Курмаев **, Д.А.Зацепин **, А.И.Кухаренко ***, С.О.Чолах ***

Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
* Department of Physics and Engineering Physics, University of Saskatchewan,
Saskatoon, SK, S7N 5E2, Canada
** Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
*** Уральский государственный технический университет (УПИ),
620002 Екатеринбург, Россия
E-mail: shein@ihim.uran.ru

(Поступила в Редакцию 21 августа 2007 г.)

Представлены результаты исследования электронного строения кристаллического Be2SiO4 методом рентгеновской эмиссионной и абсорбционной спектроскопии (Be Kalpha XES, Be 1s XAS, Si L2,3 XES, Si 2p XAS, O Kalpha XES, O 1s XAS). Выполнен расчет зонной структуры ab initio полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн (FLAPW), приведены полные и парциальные плотности состояний, дисперсионные зависимости. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости Be2SiO4 обусловлены преимущественно 2p-состояниями кислорода. Наименьший по энергии электронный переход возможен в центре зоны Бриллюэна. Оценены эффективные массы электронов (0.5me) и дырок (3.0me).

Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13395) при частичной поддержке Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-41.92.2006.2), а также проектов РФФИ (гранты N 08-02-00046а и 08-02-00148а).

PACS: 61.10.Ht, 61.50.Ah

 PDF версия (652Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster