ФТТ, 2008, том 50, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние анизотропии рассеяния носителей
заряда на термоэлектрические свойства
твердых растворов (Bi,Sb)2(Te,Se,S)3

Л.Н.Лукьянова, В.А.Кутасов, П.П.Константинов, В.В.Попов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 23 июля 2007 г.)

В твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы (Bi, Sb)2(Te, Se, S)3 n- и p-типа проводимости с различными замещениями атомов в подрешетках Bi2Te3 проведен анализ термоэлектрических и гальваномагнитных свойств. Показано, что увеличение термоэлектрической эффективности Z наблюдается в составах с низкой анизотропией рассеяния носителей заряда в плоскости отражения. При этом компонента тензора времени релаксации tau33 вдоль тригонального направления, перпендикулярного направлению роста кристаллов, уменьшается по сравнению с компонентами вдоль бинарного tau11 и биссекторного направлений tau22.

Работа поддержана проектом РФФИ N 07-08-00191a.

PACS: 72.20.Pa, 72.20.My, 72.80.Jc

 PDF версия (620Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster