ФТТ, 2008, том 50, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анизотропия электропроводности кристаллов гептагерманата лития

М.Д.Волнянский, М.П.Трубицын, Яхья А.Х.Обайдат

Днепропетровский национальный университет,
49050 Днепропетровск, Украина
E-mail: trub@ff.dsu.dp.ua

(Поступила в Редакцию 20 августа 2007 г.)

Удельная электропроводность sigma кристаллов гептагерманата лития Li2Ge7O15 исследована в частотном диапазоне электрического поля 0.5-100 kHz и в интервале температур 300-700 K. При нагревании выше 500 K наблюдалась значительная анизотропия электропроводности, которая по величине различается на один и два порядка для направлений измерительного поля вдоль осей кристалла. Показано, что температурное возрастание sigma обусловлено процессом переноса заряда с энергией активации U=1.04 eV. Предполагается, что термически активированный вклад в электропроводность определяется транспортом междоузельных ионов Li вдоль каналов структуры Li2Ge7O15.

PACS: 66.10.Ed, 66.30.Hs, 77.84.-s

 PDF версия (106Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster