ФТТ, 2008, том 50, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пиннинг уровня Ферми, вызванный адсорбцией

С.Ю.Давыдов, С.В.Трошин\kern1pt*

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 1 августа 2007 г.)

Показано, что наведенный адсорбцией пиннинг уровня Ферми имеет место при степенях покрытия Theta*, соответствующих мелкому экстремуму или насыщению работы выхода системы. В рамках модифицированной модели адсорбции Андерсона--Ньюнса получены уравнения для определения Theta*. Приведен анализ экспериментальных данных по адсорбции атомов щелочных, щелочно-земельных (Ba) и редкоземельных металлов и водорода на полупроводниках (кремнии, арсениде галлия и диоксиде титана). Сделаны оценки положения уровня Ферми на поверхности полупроводника.

Работа выполнена при поддержке целевой программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы Российской Федерации\grqq (проект РНП 2.1.2.1716К).

PACS: 73.20.Hb, 71.55.Cn, 71.55.Eq

 PDF версия (103Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster