| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Электро- и магнетотраспорт в пленках LaBaMnO, несимметрично двухосно сжатых подложкой (001)NdGaO
Ю.А.Бойков, В.А.Данилов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: yu.boikov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 22 мая 2007 г.)
|
Пленки (40 nm)LaBaMnO выращены квазикогерентно на поверхности подложки (001)NdGaO, орторомбическое искажение элементарной ячейки которой составляет . Сжимающие двухосные механические напряжения в процессе зародышеобразования и роста обусловили уменьшение объема элементарной ячейки выращенных слоев, что в свою очередь явилось причиной понижения ( K) температуры максимума на зависимости их электросопротивления от температуры. При K пленок возрасло пропорционально , а коэффициент приблизительно линейно убывал с ростом напряженности магнитного поля . Максимальные значения отрицательного магнетосопротивления (, при T) наблюдались при температурах, близких к комнатной. Реакция пленок (40 nm)LaBaMnO на магнитное поле зависела от кристаллографического направления в пленке, вдоль которого оно направлено, и от угла между и ( --- электрический ток в пленке). Финансовая поддержка данных исследований была частично получена из проекта NMP3-CT-2006-033191 Европейской рамочной программы FP6. PACS: 73.43.Qt, 73.50.-h |
| PDF версия (280Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2008, Коллектив авторов Разработано... webmaster |