ФТТ, 2008, том 50, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования пленок иттербия на поверхности Si(111) при комнатной температуре

Д.В.Бутурович, М.В.Кузьмин, М.В.Логинов, М.А.Митцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: M. Kuzmin@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 17 мая 2007 г.)

С помощью методов контактной разности потенциалов, электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы, сопровождающие формирование пленок иттербия на поверхности Si(111) при комнатной температуре. Показано, что растущие пленки металла однородны по толщине и что растворение атомов Si в них практически отсутствует. Установлено, что ограниченная диффузия атомов кремниевой подложки в металлическую пленку Yb может происходить только при облучении поверхности первичными пучками высокоэнергетических электронов, применяемых в методе электронной Оже-спектроскопии. На основании полученных результатов сделан вывод, что наблюдавшиеся нами ранее размерные осцилляции работы выхода в тонкопленочных структурах Yb--Si(111) не могут быть обусловлены растворением атомов кремния в осаждаемой пленке иттербия.

Работа выполнена при поддержке Санкт-Петербургского научного центра РАН.

PACS: 73.30.+y, 73.21.-b, 68.55.-a

 PDF версия (232Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster