ФТТ, 2007, том 49, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Процессы деполяризации в фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике

В.В.Гладкий, Е.С.Иванова, Т.Р.Волк

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
E-mail: glad@ns.crys.ras.ru

(Поступила в Редакцию 14 марта 2007 г.)

Исследована деполяризация фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика Sr0.61Ba0.39Nb2O6 с концентрацией примесей 0.44 at.% La и 0.023 at.% Ce при комнатной температуре и при освещении мощностью до 0.22 mW/cm2 в интервале полосы поглощения кристалла. Найдена наилучшая аппроксимация экспериментальных данных с помощью функции, содержащей два степенных члена, зависящих от времени. Аппроксимация отвечает двум идущим одновременно механизмам деполяризации, а именно полидоменизации в деполяризующем поле ограниченного кристалла и экранированию этого поля фотоиндуцированными носителями заряда. Построены точные функции распределения центров неэкспоненциальной релаксации в кристалле по временам релаксации с двумя максимумами. Функции распределения сдвигаются к большим временам релаксации при освещении.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 05-02-17565 и 06-02-16644).

PACS: 77.84.Dy, 77.80.Dj

 PDF версия (199Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster