ФТТ, 2007, том 49, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сравнение одноэлектронного и многоэлектронного механизмов концентрационной зависимости зонной структуры ВТСП-купратов

В.А.Гавричков, С.Г.Овчинников, И.А.Некрасов *, Е.Е.Кокорина *, З.В.Пчелкина **

Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,
660036 Красноярск, Россия
* Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук,
620046 Екатеринбург, Россия
** Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620041 Екатеринбург, Россия
E-mail: gav@iph.krasn.ru

(Поступила в Редакцию 28 февраля 2007 г.)

Методом LDA + GTB, объединяющим приближение локальной электронной плотности (LDA) и обобщенный метод сильной связи (GTB), рассчитана зонная структура ВТСП Nd2-xCexCuO4. Учтены два механизма концентрационной зависимости зонной структуры: одноэлектронный и многоэлектронный. Показано, что основным вкладом в эволюцию зонной структуры при легировании является многоэлектронный.

Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 05-02-16301, 05-02-17244, 06-02-90537, Междисциплинарного проекта УрО--СО РАН N 74, программ УрО РАН \glqq Квантовая макрофизика\grqq и \glqq Сильнокоррелированные электроны в полупроводниках, металлах, сверхпроводниках и магнитных материалах\grqq. З.П. и И.Н. благодарят за поддержку Фонд \glqq Династия\grqq и Международный центр фундаментальной физики (г. Москва), а также Фонд содействия отечественной науке. И.Н. благодарит за поддержку в рамках гранта Президента РФ МК-2118.2005.02.

PACS: 71.27.+a, 74.72.Dn

 PDF версия (286Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster