ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние механизма роста и термоупругих
напряжений на динамику кристаллической решетки
гетероэпитаксиальных пленок титаната бария--стронция

Ю.И.Юзюк, И.Н.Захарченко, В.А.Алешин, И.Н.Леонтьев,
Л.М.Рабкин, В.М.Мухортов*, P.Simon**

Ростовский государственный университет,
344090 Ростов-на-Дону, Россия
* Южный научный центр Российской академии наук,
344006 Ростов-на-Дону, Россия
** Centre de Recherches sur les Materiaux Haute Temperature,
CNRS UPR4212, F45071 Orleans, France
E-mail: yuzyuk@rambler.ru

(Поступила в Редакцию 10 января 2007 г.)

Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba0.7Sr0.3TiO3 (BST-0.3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293--520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E(TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано, что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиальнго роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста.

Работа проводилась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-17191 и 06-02-16271).

PACS: 62.40.+i, 68.35.Rh

 PDF версия (369Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster