ФТТ, 2007, том 49, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия

Ю.К.Ежовский, А.Л.Егоров

Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет),
198013 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: ezhovski@pochta.ru

(Поступила в Редакцию 22 ноября 2006 г.
В окончательной редакции 6 февраля 2007 г.)

Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник--диэлектрик.

PACS: 73.40.Qv, 73.63.-b

 PDF версия (215Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster