ФТТ, 2007, том 49, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магниторефрактивный эффект в манганитах

А.Н.Юрасов, Ю.В.Борискина *, Е.А.Ганьшина *, А.Б.Грановский *, Ю.П.Сухоруков **

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет),
119454 Москва, Россия
* Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
** Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
E-mail: granov@magn.ru

(Поступила в Редакцию 12 октября 2006 г.)

Рассчитано магнитопропускание и магнитоотражение пленок манганитов и одномерных магнитофотонных кристаллов, содержащих пленку манганита в качестве дефекта. Выполненные расчеты показали, что магнитопропускание и магнитоотражение манганитов с колоссальным магнитосопротивлением можно рассматривать как проявление магниторефрактивного эффекта, причем величина эффекта на прохождении может достигать 20-40% при низких температурах. Эффект на отражении для пленки толщиной 300 nm составляет 1-2% и может быть значительно усилен за счет многолучевой интерференции в симметричной и антисимметричной схеме магнитофотонных кристаллов со встроенным дефектом.

Работа выполнена при поддержке фонда \glqq Династия\grqq, РФФИ (гранты N 06-02-016604 и 05-02-19886-ЯФ), а также президентского гранта МК-307.2006.2 и гранта научные школы НШ-5008-2006.2.

PACS: 42.70.-a, 78.20.Ls

 PDF версия (132Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster