ФТТ, 2007, том 49, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диффузия одноэлектронных и двухэлектронных вакансионных центров в полярных кристаллах

Н.И.Каширина, В.Д.Лахно\kern1pt*, В.В.Сычев\kern1pt*, М.К.Шейнкман

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Институт математических проблем биологии Российской академии наук,
142290 Пущино, Московская обл., Россия
[1mm] E-mail: n lak@impb.psn.ru

(Поступила в Редакцию 18 июля 2006 г.)

Рассчитано изменение диффузионного барьера анионных вакансий в полярных кристаллах при захвате одного (F-центры) или двух электронов (F'-центры). Для двухэлектронных систем рассмотрены нижайшие синглетные и триплетные состояния. Показано, что захват двух электронов в нижайшее метастабильное триплетное состояние (что возможно в неравновесных условиях, например при обменном рассеянии или термическом перезаселении энергетических уровней) приводит к понижению диффузионного барьера подобной системы. В то же время диффузия двухэлектронных центров в нижайшем синглетном состоянии, как правило, связана с ростом потенциального барьера миграции по сравнению с вакансией без электронов. Вычисления выполнялись для гауссовой системы функций с учетом эффектов межэлектронной корреляции и электрон-фононного взаимодействия.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 04-07-90402, 06-04-48363).

PACS: 66.30.-h, 31.15.Pf, 76.30.Mi

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster