| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Замедление релаксации по уровням энергии размерного квантования в квантовых точках CdSe/ZnS с ростом
числа возбужденных носителей
В.С.Днепровский, И.И.Добындэ, Е.А.Жуков, А.Н.Санталов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,
МД-2028 Кишинев, Молдавия
E-mail: zhukov@qwires.phys.msu.su
(Поступила в Редакцию 22 июня 2006 г.)
|
Рассмотрены особенности спектров дифференциального пропускания квантовых точек CdSe/ZnS при резонансном возбуждении электронов в первое возбужденное состояние : уменьшение пропускания на частоте возбуждающего излучения, просветление во время действия возбуждающего импульса на частотах, соответствующих основному энергетическому переходу и переходам между возбужденными состояниями дырок и основным электронным уровнем , и замедление этого процесса с ростом энергии возбуждающего импульса. Эти особенности удается объяснить отсутствием \glqq фононного бутылочного горла\grqq для электронов из-за передачи энергии от горячих электронов к быстро релаксирующим дыркам; релаксацией через промежуточные уровни энергии размерного квантования дырок; замедлением релаксации с ростом числа возбужденных носителей в квантовой точке. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 05-02-17604 и 06-02-90869). PACS: 78.67.Ho, 78.90.+t |
| PDF версия (309Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |