ФТТ, 2007, том 49, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Морфология гетероэпитаксиальных пленок beta-SiC, выращенных на Si(111) методом химической конверсии в вакууме
из паров гексана

Л.К.Орлов, Ю.Н.Дроздов, В.Б.Шевцов, В.А.Боженкин\kern1pt*, В.И.Вдовин\kern1pt**

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
** Институт химических проблем микроэлектроники,
109017 Москва, Россия
E-mail: orlov@ipm.sci-nnov.ru

(Поступила в Редакцию 5 мая 2006 г.)

Методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгенодифракционного анализа изучаются характеристики слоев кубического карбида кремния, выращенных на кремнии методом химической конверсии в вакууме из паров гексана. Проведен анализ морфологии поверхности и структуры пленок в зависимости от толщины осажденных пленок и вида используемой подложки (кремний или сапфир). На основе проведенных исследований обсуждается роль различных диффузионных потоков, возникающих в структуре, и связанные с ними возможные механизмы роста слоя карбида кремния beta-SiC на кремнии.

Работа выполнена при финансовой поддержке Международного научно-технологического центра, на средства которого была частично изготовлена и запущена газовая вакуумная технологическая установка (проект N 2372).

PACS: 68.35.Ct, 68.37.-d

 PDF версия (448Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster