ФТТ, 2007, том 49, выпуск 3
ФТТ, 2007, том 49, выпуск 3
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Электронная структура, ИК- и рамановские спектры полупроводниковых кластеров C, BN, SiC, ZnO, GaN
В.В.Покропивный, Л.И.Овсянникова
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины,
03142 Киев, Украина
E-mail: avilon@ipms.kiev.ua
(Поступила в Редакцию 27 февраля 2006 г.
В окончательной редакции 16 мая 2006 г.)
|
Ab initio методом Хартри--Фока в базисе 6-31 рассчитаны оптимизированная конфигурация, электронная структура, перенос заряда, запрещенная щель, полная энергия, энергия когезии, карты электронной плотности, ИК- и рамановские спектры и соответствующие им моды собственных акустических колебаний кластеров C, BN, SiC, ZnO, GaN. Работа выполнена в соответствии с Государственной целевой программой Ц2-02. PACS: 73.22.-f, 78.30.Fs |
| PDF версия (672Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster |